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2022年NAND闪存资本支出将达300亿美元

发布日期:2022-04-04 03:53   来源:未知   阅读:

  香港马会最快开奖直播關於2022年清明節及勞動節期間京津冀地區高,国外分析机构IC Insights预测称,今年NAND闪存的资本支出将增长8%达到299亿美元,超过2018年的278亿美元。2017 年,闪存资本支出飙升,当时该行业向3D NAND转型,此后每年都超过200亿美元。 2022 年,闪存的资本支出预计将增至299亿美元,因为无论大小型供应商都将保持适度激进的支出水平。

  299亿美元的支出占2022年整体IC行业资本预测支出1904亿美元的16%,仅次于晶圆代工厂部分,预计后者今年将占行业资本支出的41%。

  近期新升级的NAND闪存工厂包括三星的Pyeongtaek 1、2生产线(也用于DRAM和代工);三星在中国西安的二期投资;铠侠在日本岩手的Fab 6和 Fab K1晶圆厂;美光在新加坡的第三家闪存厂。此外,SK海力士为其M15工厂的剩余空间配备了NAND闪存。

  在预测期内,随着NAND闪存供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上闪存芯片的产能竞争,将需要新的晶圆厂和设备。三星和美光可能是首家今年晚些时候就开始量产200层NAND的公司。两家公司及SK海力士目前都在量产176层 NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是(或将成为)领先NAND的关键制造基地,拥有2家晶圆厂,每家晶圆厂全面投产后每月可生产 120,000 片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注,SK hynix 预计将在2023年迁移到196层。

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